可靠性设计验证 · Failure Analysis
查明市场与工序中发生的不良品失效机理，并提出防止再发的设计变更方案。
从非破坏分析到破坏分析与环境再现，在一处完成。
主要业务支持
失效根本原因追踪
追踪失效的本质原因，明确查明电气过应力（EOS）、静电放电（ESD）、离子迁移导致的枝晶生长等失效机理。
再发防止设计指导
基于分析所得的失效数据，提出下一机型的设计变更方案，并报告可降低市场质量成本的设计准则与工序改进方案。
分析对象
- 市场不良品
- 工序中不良
- 间歇性误动作再现
- 特性劣化品
- 样品对比分析
- 试验结果分析
分析阶段与主要项目
- 01NDA
非破坏分析
- X 射线内部走线断路/短路检查
- 光学显微镜观察外观与焊点裂纹
- 02Electrical Stress
电气应力再现
- EOS（电气过应力）与 ESD 耐受试验
- 使用曲线追踪仪实测器件内部特性（I-V）变化
- 03Destructive
破坏分析
- 通过切片分析（Micro-sectioning）研究层间剥离
- 器件开封（Decapsulation）分析
- 04Reproduction
环境再现试验
- 再现不良发生地点的温湿度环境
- 通过加速试验查明失效机理
主要分析设备
- SEM（扫描电子显微镜）JEOL JSM-6010PLUS/LV
- SAM（超声显微镜）SONOSCAN D9600
- X 射线系统NIKON XTV 160
- 曲线追踪仪Advantest 370B
- 光学显微镜HISCOPE S26146
- 热像仪与温度记录仪FLIR-T425 · YOKOGAWA 30ch